Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde (2", 3" veya 4")

(No reviews yet) Write a Review
SKU:
NG01CG0101

Description

Ürün fiyat bilgisi için tıklayınız.

Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde

(2", 3" veya 4")  

Grafen Filmin Özellikleri

  
Saydamlık : > 95 %
Kapsama Alanı :  > 93%
Kalınlık (teorik) : 0.340 nm
Levha Direnci :  500-530 Ohms/sq
Parçacık Boyutu:  6-10 μm
   

SiO2/Si Substrat' ın Özellikleri

  
Kuru Oksit Kalınlığı : 300 nm
Tip P/N
Oryantasyon:  <100>
Öz Direnç : 0.001 - 0.01
Kalınlık :  525 +/- 20 μm
Ön Yüzey : Tek tarafı cilalı


Uygulama Alanı: 

Grafen araştırması; süperkapasitörler; Katalizör; Güneş enerjisi; Grafen optoelektronik, plazmonik ve nanophotonik; Grafen yarı iletken çipleri; İletken grafen filmi; Grafen bilgisayar belleği; Biyomalzemeler ve Biyoelektronik

 

 Hazırlama Yöntemi: (Si/Si02 Substratındaki Grafen aşağıdaki aşamalarla hazırlandı:
1) Bakır folyoda yetişen tek katmanlı grafen
2) PMMA çökeltme ve kür işlemi
3) Aşındırma işlemi ile Cu çıkarın
4) PMMA/Grafeni DI suyla yıkayın
5) PMMA/Grafeni Si substrat üzerinde tekrar çökeltme ve kürleme işlemi

6) PMMA asetonla çıkarın
View AllClose

Related Products