Description
Ürün fiyat bilgisi için tıklayınız.
Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde
(2", 3" veya 4")
Grafen Filmin Özellikleri |
|
Saydamlık : | > 95 % |
Kapsama Alanı : | > 93% |
Kalınlık (teorik) : | 0.340 nm |
Levha Direnci : | 500-530 Ohms/sq |
Parçacık Boyutu: | 6-10 μm |
SiO2/Si Substrat' ın Özellikleri |
|
Kuru Oksit Kalınlığı : | 300 nm |
Tip | P/N |
Oryantasyon: | <100> |
Öz Direnç : | 0.001 - 0.01 |
Kalınlık : | 525 +/- 20 μm |
Ön Yüzey : | Tek tarafı cilalı |
Uygulama Alanı:
Grafen araştırması; süperkapasitörler; Katalizör; Güneş enerjisi; Grafen optoelektronik, plazmonik ve nanophotonik; Grafen yarı iletken çipleri; İletken grafen filmi; Grafen bilgisayar belleği; Biyomalzemeler ve Biyoelektronik |
Hazırlama Yöntemi: (Si/Si02 Substratındaki Grafen aşağıdaki aşamalarla hazırlandı:
|
1) Bakır folyoda yetişen tek katmanlı grafen |
2) PMMA çökeltme ve kür işlemi |
3) Aşındırma işlemi ile Cu çıkarın |
4) PMMA/Grafeni DI suyla yıkayın |
5) PMMA/Grafeni Si substrat üzerinde tekrar çökeltme ve kürleme işlemi |
6) PMMA asetonla çıkarın |