Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4'', Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)

(No reviews yet) Write a Review
SKU:
NG09SIOW0901
Frequently bought together:

Açıklama

Ürün fiyat bilgisi için tıklayınız.

Yalıtımlı Silikon Alttaş/Wafer

Boyut: 4'', Kalınlık: 750 μm, P tipi, Bor Katkılı 

Teknik Özellikler:

Boyut (inch)

 4”

Kalınlık (μm)

 725

Özdirenç (ohm.cm)

 1-100 

Kademe

 İlk

Katkı Maddesi

 P tipi (Bor katkılanmış)

Oryantasyon

 100

Cihaz Kalınlığı (nm)

 300 

Cihaz Direnci (ohm.cm)

 1-100 

Cihaz Tipi

 P tipi (Bor katkılanmış)

Cihaz Yöneliimi

 100

Kutu Kalınlığı (nm)

 500 


Uygulama Alanı: 

Yalıtım katmanı eklenmesiyle yalıtkan (SOI) silikon wafer elde edilir. İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, silikon substrat ile bir üst silikon tabakası arasına yerleştirilir.
İzolatör (SOI) wafer üzerinde silikon kullanmanın temel amacı, elektrik kayıplarını azaltarak geleneksel silikon waferların performansını artırmaktır. Güç ve ısının azaltılması
durumunda cihaz silikonun izolatör (SOI) wafer üzerindeki hız performansını arttırır.

En iyi yalıtım, uygulama amaçlarına bağlıdır, örneğin silikon dioksit, kısa kanal etkilerini azaltma yeteneğine sahip olduğundan mikro elektronikte en yaygın kullanılan yalıtkandır.

Yalıtkan (SOI) wafer üzerindeki silikon, doping olmadığından sıcaklık bağımlılığını azaltır ve yüksek yoğunluk nedeniyle daha iyi verim sağlar.

Silikon fotoniğinde yalıtkan (SOI) wafer silikon kullanılmıştır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer mikroelektronik cihazlarda kullanılmaktadır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, radyo frekansı (RF) için kullanılır.

 

View AllClose