Boyut: 6'', Kalınlık: 625 nm, P tipi 

Teknik Özellikler:  

Uygulama Alanı:

Yalıtım katmanı eklenmesiyle yalıtkan (SOI) silikon wafer elde edilir. İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, silikon substrat ile bir üst silikon tabakası arasına yerleştirilir.
İzolatör (SOI) wafer üzerinde silikon kullanmanın temel amacı, elektrik kayıplarını azaltarak geleneksel silikon waferların performansını artırmaktır. Güç ve ısının azaltılması
durumunda cihaz silikonun izolatör (SOI) wafer üzerindeki hız performansını arttırır.

En iyi yalıtım, uygulama amaçlarına bağlıdır, örneğin silikon dioksit, kısa kanal etkilerini azaltma yeteneğine sahip olduğundan mikro elektronikte en yaygın kullanılan yalıtkandır.

Yalıtkan (SOI) wafer üzerindeki silikon, doping olmadığından sıcaklık bağımlılığını azaltır ve yüksek yoğunluk nedeniyle daha iyi verim sağlar.

Silikon fotoniğinde yalıtkan (SOI) wafer silikon kullanılmıştır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer mikroelektronik cihazlarda kullanılmaktadır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, radyo frekansı (RF) için kullanılır.