Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8'', Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi

(No reviews yet) Write a Review
SKU:
NG09SIOW0904

Description

Ürün fiyat bilgisi için tıklayınız.

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafers

Boyut: 8'', Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi 

Teknik Özellikler: 

Boyut (inch)

 8”

Kalınlık (μm)

 725

Özdirenç (ohm.cm)

 1-100 

Kademe

 Prime

Katkılayıcı

 P tipi (Bor Katkılı)

Oryantasyon

 100

Cihaz Kalınlığı (nm)

 300 

Cihaz Direnci (ohm.cm)

 1-100 ohm.cm

Cihaz Tipi

 P tipi (Bor Katkılı)

Cihaz Yönelimi

 100

Kutu Kalınlığı (nm)

 500 


Uygulama Alanı:

Yalıtım katmanı eklenmesiyle yalıtkan (SOI) silikon wafer elde edilir. İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, silikon substrat ile bir üst silikon tabakası arasına yerleştirilir.
İzolatör (SOI) wafer üzerinde silikon kullanmanın temel amacı, elektrik kayıplarını azaltarak geleneksel silikon waferların performansını artırmaktır. Güç ve ısının azaltılması
durumunda cihaz silikonun izolatör (SOI) wafer üzerindeki hız performansını arttırır.

En iyi yalıtım, uygulama amaçlarına bağlıdır, örneğin silikon dioksit, kısa kanal etkilerini azaltma yeteneğine sahip olduğundan mikroelektronikte en yaygın kullanılan yalıtkandır.

Yalıtkan (SOI) wafer üzerindeki silikon, doping olmadığından sıcaklık bağımlılığını azaltır ve yüksek yoğunluk nedeniyle daha iyi verim sağlar.

Silikon fotoniğinde yalıtkan (SOI) wafer silikon kullanılmıştır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer mikroelektronik cihazlarda kullanılmaktadır.
İzolatör üzerindeki silikon (SOI) wafer, radyo frekansı (RF) için kullanılır.

 

View AllClose